半导体物理气象沉积设备概述
PVD 物理气象沉积
本刊前期讨论过半导体前制程的高端装备的离子注入设备，本次我们来讨论PVD (Physical Vapor Deposition)物理气象沉积，以真空工艺进行镀膜是电子等工业中用于沉积薄膜的物理气相沉积的主要方法。就应用范围而言物理气相沉积较化学气相沉积(CVD, Chemical Vapor Deposition )要广泛得多，物理气相沉积几乎可以用来制备任何材料，尤其是在薄膜制成上至关重要，但薄膜厚度的均匀性是其缺点。
PVD主要有几种方式分别为：
1.热蒸发（蒸镀）
2.溅射镀膜
3.离子镀
4.分子束外延 MBE
（Molecular Beam Epitaxy）
PVD可以制备的材料相当广，尤其在半导体业界中为了制造超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜，需要使用PVD 沉积技术。 这些薄膜可用于半导体的许多逻辑和存器应用。
半导体业界中常用的 PVD 应用包括用于键合金属的铜阻挡层种子沉积、钛和氮化钛线性层阻挡层沉积以及铝板和焊盘金属。
新莱在真空系统中的法兰及密封件（FKM/FFKM/OHFC）、管道及管件、视窗及波纹管，还有阀门（角阀/球阀/闸阀/传输阀)，可适用各种PVD工艺，完整对标当前国际品牌，透过适当选材为客户节成本，并为半导体国产化发展进程作贡献。
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